收藏本站
型号 SI3458BDV-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
SI3458BDV-T1-E3 PDF
代理商 SI3458BDV-T1-E3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 3.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 30V
功率 - 最大 3.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI3458BDV-T1-E3-ND
SI3458BDV-T1-E3TR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
SI3458DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
SI3458DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
SI3458DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
SI3459DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP
SI3459DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP
SI3459DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP
SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
SI3460BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
SI3460DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
SI3460DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP